类钯Xe8+离子DR速率系数的理论计算
张国鼎; 符彦飙; 刘丽娟
2012-04-15
发表期刊甘肃科技
卷号28期号:2012-07页码:55-57
摘要详细研究了温度在0.1~1650eV范围内类钯Xe8+离子的DR过程。详细计算了4d、4p和4s壳层电子激发到4f和5l壳层的DR速率系数,通过比较4d、4p和4s壳层电子激发的DR速率系数,发现在中低温时,4d电子激发的DR速率数最大,在高温时,内壳层4p和4s电子激发对总DR速率系数有重要的贡献。
关键词双电子复合 速率系数 Xe8+离子 激发
URL查看原文
收录类别CNKI
语种中文
原始文献类型学术期刊
中图分类号O53;O562.4
文献类型期刊论文
条目标识符https://ir.nwnu.edu.cn/handle/39RV6HYL/19183
专题科研机构_甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室
实体学院_物理与电子工程学院
机关部门(群众团体)_科学研究院(社会科学处、学术委员会秘书处)
作者单位西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室
第一作者单位甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室
第一作者的第一单位甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
张国鼎,符彦飙,刘丽娟. 类钯Xe8+离子DR速率系数的理论计算[J]. 甘肃科技,2012,28(2012-07):55-57.
APA 张国鼎,符彦飙,&刘丽娟.(2012).类钯Xe8+离子DR速率系数的理论计算.甘肃科技,28(2012-07),55-57.
MLA 张国鼎,et al."类钯Xe8+离子DR速率系数的理论计算".甘肃科技 28.2012-07(2012):55-57.
条目包含的文件 下载所有文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
类钯Xe8+离子DR速率系数的理论计算.(353KB)期刊论文出版稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 下载
个性服务
查看访问统计
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[张国鼎]的文章
[符彦飙]的文章
[刘丽娟]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[张国鼎]的文章
[符彦飙]的文章
[刘丽娟]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[张国鼎]的文章
[符彦飙]的文章
[刘丽娟]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 类钯Xe8+离子DR速率系数的理论计算.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。